igbt熔煉爐電源控制一部分原理及優(yōu)勢(shì)
  (1)IGBT中頻電源為一種恒功率輸出電源，加一定量料就可以做到滿功率輸出，而且始終保持不會(huì)改變，因此熔融速度非�？�;因逆變電源一部分采用串聯(lián)諧振，且逆變電源電壓高，因此IGBT中頻比普通可控硅中頻環(huán)保節(jié)能;IGBT中頻采用調(diào)頻調(diào)功，整流一部分采用全橋整流，電感和電容濾波，且始終運(yùn)行在500V，因此IGBT中頻造成高次諧波小，對(duì)電力網(wǎng)造成污染工低。

  (2)節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可環(huán)保節(jié)能15%-25%,環(huán)保節(jié)能的主要原因有以下幾下方面：

  A、逆變電源電壓高，電流小，線路損耗小，此一部分可環(huán)保節(jié)能15%左右，節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電源電壓為2800V，而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電源電壓僅為750V，電流小了近4倍，線路損耗大幅度降低。
  B、功率因數(shù)補(bǔ)償高，功率因數(shù)補(bǔ)償始終大于0.98，無功損耗小，此一部分比可控硅中頻電源環(huán)保節(jié)能3%-5%。由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用了半可控整流方式，整流一部分不調(diào)可控硅導(dǎo)通角，因此整個(gè)運(yùn)行過程功率因數(shù)補(bǔ)償始終大于0.98，無功率損耗小。
  B、 爐品熱損失小，由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比同等功率可控硅中頻電源一爐可快15分鐘左右，15分鐘的時(shí)間內(nèi)爐口損失的熱量可占整個(gè)過程的3%，因此此一部分比可控硅中頻可環(huán)保節(jié)能3%左右。

  (3)高次諧波電磁干擾：高次諧波主要來自整流一部分調(diào)壓時(shí)可控硅造成的毛刺電壓，會(huì)嚴(yán)重污染電力網(wǎng)，導(dǎo)致別的設(shè)備無法正常運(yùn)行，而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源的整流一部分 采用半可控整流方式，直流電壓始終運(yùn)行在最高，不調(diào)導(dǎo)通角，因此它不會(huì)造成高次諧波，不會(huì)污染電力網(wǎng)、變壓器，開關(guān)不發(fā)熱，不會(huì)電磁干擾工廠內(nèi)別的電子產(chǎn)品運(yùn)作。

(4)恒功率輸出：可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功，而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功，它不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個(gè)熔煉過程中保持恒功率輸出，尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時(shí)，更顯示它的優(yōu)越性，熔融速度非常快，爐料元素?zé)龘p少，降低鑄造成本。